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一种ＭＯＳ晶体管及其制作方法。其中ＭＯＳ晶体管的制作方法，包括：提供带有栅极结构的半导体衬底，所述栅极结构包含栅极介电层、栅极和金属硅化物层；形成包围栅极结构的氧化层；以栅极结构为掩模，在栅极两侧的半导体衬底内进行离子注入，形成浅掺杂源／漏...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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