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外亚甲基降青霉烷类化合物的制造方法技术
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文档序号:480901
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*** 外亚甲基降青霉烷化合物的制备方法,其特征在于用至少等摩尔量的标准氧化还原电位为-0.3(V/SCE)以下的金属以及0.0001-30倍摩尔量的具有比上述金属高的标准氧化还原电位的金属化合物还原通式(1)表示的头孢烯化合物,得到...
该专利属于大冢化学株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过大冢化学株式会社授权不得商用。
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