温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供了一种测试结构及测试方法，应用于半导体技术领域。在本发明中，通过设置实验结构和对照结构，所述实验结构比所述对照结构多设置一天线结构，以收集多层金属互联层工艺制造过程中产生的等离子，然后通过测试计算所述实验结构和所述对照结构的电流差...
该专利属于华虹集成电路（成都）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹集成电路（成都）有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。