温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。
本发明公开了一种基于集总模型的低噪声放大器堆叠集成结构及其设计方法，所述方法包括：进行多级晶体管放大器原理电路设计；确定采用CMOS工艺并与放大电路同平面设计的集总元件以及采用三维集总模型并起到层间连结和堆叠作用的集总元件；使用仿真软件，对...该专利属于中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室））所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室））授权不得商用。