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SiC MOSFET模块应力波源反演方法、装置、设备及存储介质制造方法及图纸
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下载SiC MOSFET模块应力波源反演方法、装置、设备及存储介质的技术资料
文档序号:46623122
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本申请提供一种SiC MOSFET模块应力波源反演方法、装置、设备及存储介质。涉及功率器件封装状态检测技术领域。该方法包括:构建应力波在DBC板中传输的仿真模型;其中仿真模型包括DBC板模块以及设置于DBC板模块下方的陶瓷压电传感器模块,在...
该专利属于上海交通大学所有,仅供学习研究参考,未经过上海交通大学授权不得商用。
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