SiC MOSFET模块应力波源反演方法、装置、设备及存储介质制造方法及图纸

本申请提供一种SiC MOSFET模块应力波源反演方法、装置、设备及存储介质。涉及功率器件封装状态检测技术领域。该方法包括：构建应力波在DBC板中传输的仿真模型；其中仿真模型包括DBC板模块以及设置于DBC板模块下方的陶瓷压电传感器模块，在DBC板模块上表面添加应力载荷作为激励，并以高斯脉冲模拟应力载荷；根据激励源与DBC板底部的应力波信号确定传递函数；搭建DBC板应力波传播实验系统，获取应力波穿透信号；根据传递函数与应力波穿透信号，计算得到应力波源的频域信号和时域信号。本申请通过对模块底部的应力波信号进行测量，成功对应力波源的信号进行了还原。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及功率器件封装状态检测，尤其涉及一种sic mosfet模块应力波源反演方法、装置、设备及存储介质。

技术介绍

1、随着电力系统向高频化、集成化发展，功率器件更多地被应用在更高的电压等级和电流等级上，面对高压、高频、高温的工作环境，功率器件故障与失效的概率显著增加。而基于功率器件电参数、磁参数和热参数的检测方法难以兼具实时、快速和非侵入性的特性，并且无法对器件内部的准确故障信息进行有效的分析和判断，因此找到一种更高效、更精确、实时在线的功率器件状态检测方法是当前研究的重要方向。

2、应力波检测技术作为一种无损实时检测技术，近年来已在包括管道泄漏检测、材料损伤检测等领域被广泛应用。随着功率器件被发现在开关过程中会产生应力波，且该应力波在功率器件中传播时，其幅值、频率及相位会携带功率器件封装特征信息，因此应力波检测有望成为一种更有效、更准确、实时在线的功率器件状态检测方法。现有研究多聚焦于应力波与功率器件内部具体失效类型的联系以及应力波特征与功率器件的电气参数之间的联系，缺少对于应力波源信号特征的研究，而明确应力波源的信号特征，对揭示应力波本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种SiC MOSFET模块应力波源反演方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的SiC MOSFET模块应力波源反演方法，其特征在于，通过如下方式构建应力波在DBC板中传输的仿真模型：

3.根据权利要求1所述的SiC MOSFET模块应力波源反演方法，其特征在于，所述高斯脉冲随时间t变化的表达式Γ(t)为：

4.根据权利要求1所述的SiC MOSFET模块应力波源反演方法，其特征在于，根据激励源与DBC板底部的应力波信号确定传递函数，包括：

5.根据权利要求1至4中任一项所述的SiC MOSFET模块应力波源反演方法，...

【技术特征摘要】

1.一种sic mosfet模块应力波源反演方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的sic mosfet模块应力波源反演方法，其特征在于，通过如下方式构建应力波在dbc板中传输的仿真模型：

3.根据权利要求1所述的sic mosfet模块应力波源反演方法，其特征在于，所述高斯脉冲随时间t变化的表达式γ(t)为：

4.根据权利要求1所述的sic mosfet模块应力波源反演方法，其特征在于，根据激励源与dbc板底部的应力波信号确定传递函数，包括：

5.根据权利要求1至4中任一项所述的sic mosfet模块应力波源反演方法，其特征在于，所述dbc板应力波传播实验系统包括dbc板、激励源换能器以及接收端换能器；其中，所述激励源换能器和接收端换能器分别设置于所述dbc板的上端和下端，所述激励源换能器产生宽频的应力波，应力波穿透dbc板后，...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈康恒，王亚林，黄思琪，范路，吴建东，赵孝磊，赵谡，尹毅，
申请(专利权)人：上海交通大学，
类型：发明
国别省市：