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一种基于GaAs工艺的全可重构耦合器芯片，包括：GaAs衬底、设置于其反面的金属底板和设置于正面的田字形电感阵列，其中：田字形电感阵列的四个顶角分别设置端口电感和第一可变电容，相应田字形电感阵列的四条边的中点设置第二可变电容并接地，田字形电...
该专利属于上海交通大学所有，仅供学习研究参考，未经过上海交通大学授权不得商用。

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