基于GaAs工艺的全可重构耦合器芯片制造技术

一种基于GaAs工艺的全可重构耦合器芯片，包括：GaAs衬底、设置于其反面的金属底板和设置于正面的田字形电感阵列，其中：田字形电感阵列的四个顶角分别设置端口电感和第一可变电容，相应田字形电感阵列的四条边的中点设置第二可变电容并接地，田字形电感阵列的中心接地。本发明专利技术工作在sub‑6GHz在工作频率、耦合端和直通端的输出功分比与输出相位差三个方面均可调。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及的是一种无线通信领域的技术，具体是一种基于gaas工艺的全可重构耦合器芯片。

技术介绍

1、有着多功能特性的可重构器件在通信系统中能够替代其中的众多功能单一的器件，同时覆盖更多的频段，有效减小电路系统整体尺寸，降低功耗，并满足系统对应用场景变化的适应性要求，因此研发频率、相位差和功分比全可重构的耦合器芯片有明显的工程应用价值。

技术实现思路

1、本专利技术针对现有可重构耦合器难以集成、面积较大以及器件功能特性单一、频段和耦合度不可调节的问题，提出一种基于gaas工艺的全可重构耦合器芯片，工作在sub-6ghz在工作频率、耦合端和直通端的输出功分比与输出相位差三个方面均可调。

2、本专利技术是通过以下技术方案实现的：

3、本专利技术涉及一种基于gaas工艺的全可重构耦合器芯片，包括：gaas衬底、设置于其反面的金属底板和设置于正面的田字形电感阵列，其中：田字形电感阵列的四个顶角分别设置端口电感和第一可变电容，相应田字形电感阵列的四条边的中点设置第二可变电容并接地，田字形电感本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于GaAs工艺的全可重构耦合器芯片，其特征在于、包括：GaAs衬底、设置于其反面的金属底板和设置于正面的田字形电感阵列，其中：田字形电感阵列的四个顶角分别设置端口电感和第一可变电容，相应田字形电感阵列的四条边的中点设置第二可变电容并接地，田字形电感阵列的中心接地。

2.根据权利要求1所述的基于GaAs工艺的全可重构耦合器芯片，其特征是，所述的田字形电感阵列由十二个平面螺旋电感首尾相连组成田字形状。

3.根据权利要求1所述的基于GaAs工艺的全可重构耦合器芯片，其特征是，所述的GaAs衬底上进一步设有用于给可变电容电压偏置的金属盘。p>

4.根据权...

【技术特征摘要】

1.一种基于gaas工艺的全可重构耦合器芯片，其特征在于、包括：gaas衬底、设置于其反面的金属底板和设置于正面的田字形电感阵列，其中：田字形电感阵列的四个顶角分别设置端口电感和第一可变电容，相应田字形电感阵列的四条边的中点设置第二可变电容并接地，田字形电感阵列的中心接地。

2.根据权利要求1所述的基于gaas工艺的全可重构耦合器芯片，其特征是，所述的田字形电感阵列由十二个平面螺旋电感首尾相连组成田字形状。

3.根据权利要求1所述的基于gaas工艺的全可重构耦合器芯片，其特征是，所述的gaas衬底上进一步设有用于给可变电容电压偏置的金属盘。

4.根据权利要求1或3所述的基于gaas工艺的全可重构耦合器芯片，其特征是，所述的gaas衬底的中...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴林晟，冯家豪，邱良丰，毛军发，
申请(专利权)人：上海交通大学，
类型：发明
国别省市：