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本发明公开了一种富含氧空位的低氧态氧化钼空穴传输层及其在光电器件中的应用。本发明利用MoO2粉末作为热蒸镀材料，采用热蒸镀法将Mo4+引入阳极界面层，构建不同阳离子氧化态的MoOx阳极界面层以提高器件的光伏性能及稳定性，可有效用于聚合物光电...
该专利属于中国科学院化学研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院化学研究所授权不得商用。

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