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本发明涉及半导体光电器件的技术领域，特别是涉及一种基于自支撑单晶衬底的单晶激光器及其生长方法，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层，有源层、上波导层、上限制层，其特征在于：所述衬底与下限制层之间具有光场耗散抑制层，所述光场耗散抑制层为G...
该专利属于安徽格恩半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过安徽格恩半导体有限公司授权不得商用。

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