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本发明提供一种用于监测MOS管结性能的电性测试结构及测试方法，通过设置测试单元，且该测试单元结构有着类似于MOS管的结构，即包括衬底层、阱层、栅极结构、掺杂区及测试焊盘，但却将掺杂区分为掺杂类型相反的两个区，即第一及第二导电类型掺杂区，可通...
该专利属于江苏卓胜微电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏卓胜微电子股份有限公司授权不得商用。

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