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本发明涉及光电探测技术领域，尤其涉及一种CsPbX3/HgTe量子点材料及其制备方法和应用。本发明制备得到的CsPbX3/HgTe量子点材料利用甲基将CsPbX3量子点和HgTe量子点连接形成纳米级异质结，且CsPbX3量子点表面包覆硅层，...
该专利属于中芯热成科技（北京）有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯热成科技（北京）有限责任公司授权不得商用。

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