一种CsPbX3/HgTe量子点材料及其制备方法和应用技术

本发明专利技术涉及光电探测技术领域，尤其涉及一种CsPbX3/HgTe量子点材料及其制备方法和应用。本发明专利技术制备得到的CsPbX3/HgTe量子点材料利用甲基将CsPbX3量子点和HgTe量子点连接形成纳米级异质结，且CsPbX3量子点表面包覆硅层，有效将二者载流子隔绝形成耗尽层，进而在两种量子点材料之间形成电场，促使碲化汞量子点的载流子分离，进而有效提高光探测器的响应速度，而且，本发明专利技术提供的CsPbX3/HgTe量子点材料具有红外光、可见光、紫外线以及X射线波段的响应能力，有效拓宽探测光谱范围。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光电探测，尤其涉及一种cspbx3/hgte量子点材料及其制备方法和应用。

技术介绍

1、光电成像在军事侦察、遥感测绘、航天航空等领域发挥了重要作用，现有光电探测器主要采用碲镉汞、二类超晶格、锑化铟、硅、铟镓砷等块体半导体材料，其性能优异、稳定性高。然而，其复杂的材料制备及倒装键合工艺限制了块体半导体焦平面阵列的批量化制备及低成本应用。

2、胶体量子点作为一种新兴液态半导体材料，具有可调谐的能带带隙，可以通过调节尺寸大小和形状调整吸收光谱和响应光谱；表面效应下，量子点具有较大的比表面积优势，具有较高的量子效率和载流子寿命；具有光谱调控范围“宽”、合成规模“大”、制备成本“低”、以及加工工艺“易”等优势，这带给基于量子点器件很多设计上和控制上的自由度，为新型红外焦平面阵列研发提供了全新的思路。当前研究较热的新兴材料在光电、传感、生物医疗、显示、能源、光催化、电子、通信等诸多领域都有广泛的应用。

3、cmos（互补金属氧化物半导体）硅基兼容的量子点技术一直是研究热点，胶体量子点独特的液相合成特性，能够实现硅基单片集成，避免本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种CsPbX3/HgTe量子点材料的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述CsPbX3量子点的制备方法包括：将PbX2、十八烯、油酸和油胺混匀，加入铯源进行反应，得到CsPbX3量子点。

3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述CsPbX3量子点与硅酸酯的摩尔比为1:8；

4.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，步骤（2）所述HgTe量子点与丁二硫醇、乙醇的体积之比为1:1:(2-10)；

5.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述配体交换后的H...

【技术特征摘要】

1.一种cspbx3/hgte量子点材料的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述cspbx3量子点的制备方法包括：将pbx2、十八烯、油酸和油胺混匀，加入铯源进行反应，得到cspbx3量子点。

3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述cspbx3量子点与硅酸酯的摩尔比为1:8；

4.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，步骤（2）所述hgte量子点与丁二硫醇、乙醇的体积之比为1:1:(2-10)；

5.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述配体交换后的hgte量子点、硅层包覆的cspbx3量子点和一元卤代甲烷的摩尔比为1:1:1；

【专利技术属性】
技术研发人员：谭伊玫，刘雁飞，
申请(专利权)人：中芯热成科技北京有限责任公司，
类型：发明
国别省市：