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本发明公开了一种CF3CH2OCF3在半导体清洗中的应用方法。本发明中，通过精准控制混合气体比例与纯度，配合稳定的等离子体激发参数，增强了对腔体残留物质的分解能力，尤其是对SiOx、AlN等无机杂质及SiOC的去除效果更彻底。温度均匀性控制...
该专利属于金民宰所有，仅供学习研究参考，未经过金民宰授权不得商用。

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