【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体清洗，具体为一种cf3ch2ocf3在半导体清洗中的应用方法。
技术介绍
1、半导体清洗是指在半导体制造过程中，通过物理或化学方法去除晶圆表面污染物、微粒、金属离子及有机残留物的关键工艺。清洗工艺直接影响器件性能、良率及可靠性，是芯片制造中不可或缺的环节。常用方法包括rca清洗、兆声波清洗、超临界流体清洗及臭氧氧化清洗等，结合去离子水、稀酸、碱液和有机溶剂等清洗液，可高效去除不同类型污染物。随着先进制程节点不断缩小，对清洗精度要求日益提高，需在保证洁净度的同时避免晶圆表面损伤。半导体清洗技术正向低污染、低能耗、高选择性与智能化方向发展，是支撑高端芯片制造与集成电路产业升级的重要基础。
2、.但是现有技术在半导体清洗中存在清洗效率不足、残留物质去除不彻底的问题，温度控制不均易导致局部残留，气体流量和压力稳定性差，能耗较高且杂质引入与泄漏风险大，同时对设备材质保护性不足，工艺稳定性欠佳，影响产品良率。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于：为了解决上述提出的问...
【技术保护点】
1.一种CF3CH2OCF3在半导体清洗中的应用方法，其特征在于：所述方法包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的一种CF3CH2OCF3在半导体清洗中的应用方法，其特征在于：所述步骤S1中，具体的清洗对象，包括PECVD腔体、ALD腔体、Etch腔体、OLED蒸镀罩或半导体靶材沉积系统，不同设备类型将直接影响后续气体流量控制和等离子体参数设置。
3.如权利要求1所述的一种CF3CH2OCF3在半导体清洗中的应用方法，其特征在于：所述步骤S2中，准备CF3CH2OCF3与O2的混合气体，按照半导体清洗工艺要求配置含有CF3CH2OCF3和O2的混...
【技术特征摘要】
1.一种cf3ch2ocf3在半导体清洗中的应用方法，其特征在于：所述方法包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的一种cf3ch2ocf3在半导体清洗中的应用方法，其特征在于：所述步骤s1中，具体的清洗对象，包括pecvd腔体、ald腔体、etch腔体、oled蒸镀罩或半导体靶材沉积系统，不同设备类型将直接影响后续气体流量控制和等离子体参数设置。
3.如权利要求1所述的一种cf3ch2ocf3在半导体清洗中的应用方法，其特征在于：所述步骤s2中，准备cf3ch2ocf3与o2的混合气体，按照半导体清洗工艺要求配置含有cf3ch2ocf3和o2的混合气源，此混合气体需在进入腔体前保持稳定的组分比例，通常cf3ch2ocf3与o2的体积比控制在1:3至1:5范围，气体纯度需达到99.999％以上以避免引入杂质影响清洗效果，气源存储装置需进行气密性检测确保无泄漏风险。
4.如权利要求1所述的一种cf3ch2ocf3在半导体清洗中的应用方法，其特征在于：所述步骤s3中，将待清洗设备的腔体温度调节至250～350℃范围，通过设备温控系统将腔体加热至设定温度区间并持续监测，采用多点测温方式确保腔体内部温度均匀性误差不超过±5℃，保温时间不少于30分钟使腔体热容量达到稳定状态，该温度条件是保障cf3ch2ocf3稳定性的关键，温度过低会导致反应不完全温度过高则可能引发气体提前分解。
5.如权利要求1所述的一种cf3ch2ocf3在半导体清洗中的应用方法，其特征在于：所述步骤s4中，设置等离子体激发参数为13.56mhz频率及600w激发功率，在设备控制系统中输入上述参数并进行阻抗匹配调节，使反射功率控制在5％以下以提高能量利用效率，同时设置等离子体源与腔体的耦合方式根据设备类型选择电容耦合或电感耦合模式，这些参数将决定等离子体的激发效率直接影响s6中自由基的生成量。
6.如权利要求1所述的一种cf3ch2ocf3在半导体清洗中的应用方法，其特征在于：所述步骤s5中，将s2中准备的混合气体按工艺要求流量引入已达到s3设定温度的腔体内，控制cf3ch2ocf3的流量...
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