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本发明公开了一种g‑C3N4膜包覆NiSx基体复合材料制备方法，解决了现有材料长时间浸泡或电催化过程中，表面活性物种流失、活性位点钝化，降低催化剂的电化学稳定性的问题，方法包括对金属基底预处理，合成前驱体溶液，取预处理后的金属基底、前驱体溶...
该专利属于东北大学秦皇岛分校所有，仅供学习研究参考，未经过东北大学秦皇岛分校授权不得商用。

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