一种g-C3N4膜包覆NiSx基体复合材料制备方法技术

本发明专利技术公开了一种g‑C3N4膜包覆NiSx基体复合材料制备方法，解决了现有材料长时间浸泡或电催化过程中，表面活性物种流失、活性位点钝化，降低催化剂的电化学稳定性的问题，方法包括对金属基底预处理，合成前驱体溶液，取预处理后的金属基底、前驱体溶液转移至不锈钢高压反应釜中反应，得到g‑C3N4膜包覆NiSx基体复合材料；本发明专利技术中通过乌洛托品诱导三聚氰胺、尿素、硫脲等含有碳、氮、硫源的有机物形成包覆于NiSx基体上的g‑C3N4包覆膜方法，乌洛托品通过配位调控、动力学抑制、异质结协同及pH调节的多重作用机制，显著降低了NiS‑Ni3S2柱状晶的粒径，从而得到高性能、低成本的电催化剂，合成出的复合材料NiS‑Ni3S2@g‑C3N4性能良好，在电解水和其他电催化反应中展现出巨大的潜力。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于催化剂，具体涉及一种g-c3n4膜包覆nisx基体复合材料制备方法。

技术介绍

1、随着全球能源需求持续增长与环境问题日益严峻，传统化石能源的不可再生性与高污染性已成为制约可持续发展的核心瓶颈，能源结构向清洁化、低碳化转型已成为全球共识。在此背景下，以电池、氢能源为代表的新型能源技术快速发展，而电化学介质作为能量转换与存储的关键环节，其性能优化直接影响着新能源技术的商业化进程。

2、在电化学催化领域，贵金属(如铂、铱)因具有优异的催化活性与稳定性，长期占据核心地位。然而，其高昂的成本、稀缺的储量及环境毒性严重限制了大规模应用。因此，开发低成本、高活性、长寿命的非贵金属基电催化剂成为当前研究的热点。其中，过渡金属硫化物(如nisx)因其独特的电子结构、高导电性及可调变的表面活性位点，展现出替代贵金属催化剂的潜力。

3、nisx基材料在电催化反应中表现突出：其高催化活性可显著降低析氢反应(her)、析氧反应(oer)及氧还原反应(orr)的过电位；优异的稳定性使其在碱性或酸性电解液中保持结构完整性；此外，nisx资源丰富、本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种g-C3N4膜包覆NiSx基体复合材料制备方法，其特征在于，所述方法包括：

2.如权利要求1所述的g-C3N4膜包覆NiSx基体复合材料制备方法，其特征在于：所述金属基底为泡沫镍，所述络合材料包括三聚氰胺、乌洛托品，所述液相递质包括硫脲、半胱氨酸、硫化钠。

3.如权利要求2所述的g-C3N4膜包覆NiSx基体复合材料制备方法，其特征在于：所述对金属基底预处理的方法，包括：

4.如权利要求3所述的g-C3N4膜包覆NiSx基体复合材料制备方法，其特征在于：所述金属基底的规格为1cm×1.5cm。

5.如权利要求1所述的g-C3N4膜包...

【技术特征摘要】

1.一种g-c3n4膜包覆nisx基体复合材料制备方法，其特征在于，所述方法包括：

2.如权利要求1所述的g-c3n4膜包覆nisx基体复合材料制备方法，其特征在于：所述金属基底为泡沫镍，所述络合材料包括三聚氰胺、乌洛托品，所述液相递质包括硫脲、半胱氨酸、硫化钠。

3.如权利要求2所述的g-c3n4膜包覆nisx基体复合材料制备方法，其特征在于：所述对金属基底预处理的方法，包括：

4.如权利要求3所述的g-c3n4膜包覆nisx基体复合材料制备方法，其特征在于：所述金属基底的规格为1cm×1.5cm。

5.如权利要求1所述的g-c3n4膜包...

【专利技术属性】
技术研发人员：郝振杰，董亮，李泽，王宇泽，郑友彬，
申请(专利权)人：东北大学秦皇岛分校，
类型：发明
国别省市：