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含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物制造技术
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文档序号:46601783
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一种含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物,其含有[A]成分:聚硅氧烷,以及[C]成分:溶剂,所述聚硅氧烷包含来自水解性硅烷(A)的结构单元,所述水解性硅烷(A)具备具有与芳香族环直接键合的碘原子的芳基磺酰基和具有与芳香族环直接键合的碘原子的芳基硫酯...
该专利属于日产化学株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过日产化学株式会社授权不得商用。
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