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本发明属于真空电子器件技术领域，具体涉及一种具有边缘扩展型的内衬底的打拿极及包含其的电子倍增器。打拿极包括栅网组件、基架盒和边缘扩展型的内衬底，内衬底位于基架盒内部；内衬底包括弧形侧壁部分、上壁、下壁和折弯部分；折弯部分设置在弧形侧壁部分与...
该专利属于西安交通大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安交通大学授权不得商用。

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