具有边缘扩展型的内衬底的打拿极及包含其的电子倍增器制造技术

技术编号:46598066 阅读:1 留言:0更新日期:2025-10-10 21:30
本发明专利技术属于真空电子器件技术领域,具体涉及一种具有边缘扩展型的内衬底的打拿极及包含其的电子倍增器。打拿极包括栅网组件、基架盒和边缘扩展型的内衬底,内衬底位于基架盒内部;内衬底包括弧形侧壁部分、上壁、下壁和折弯部分;折弯部分设置在弧形侧壁部分与上壁之间、弧形侧壁与下壁之间;基架盒包括侧壁、与侧壁连接的上挡板和下挡板;内衬底的弧形侧壁部分贴附在基架盒的侧壁上,内衬底的上壁紧贴基架盒的上挡板,内衬底的下壁紧贴基架盒的下挡板。内衬底结构使得打拿极内部的电场发生了变化,特别是在打拿极内部边角处即折弯部分所在区域的电场强度,有着非常明显的变化。解决了打拿极电子收集效率低的问题,提高电子倍增器的增益。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于真空电子器件,具体涉及一种具有边缘扩展型的内衬底的打拿极及包含其的电子倍增器


技术介绍

1、电子倍增器是一种具有电子放大功能的真空电子器件。在真空环境下,电子倍增器可以对电子、离子等粒子进行检测放大,同时,以电子倍增器作为核心探测部件的产品已广泛应用于微弱信号探测领域,如微弱光观测使用的像增强器、材料成分检测使用的质谱仪等,以及单电子探测领域,如高能物理实验中使用的光电倍增管等。电子倍增器从结构上主要可以分为通道式倍增器和分离打拿极倍增器,其中分离打拿极电子倍增器以高增益、高可靠性、宽动态范围、较长寿命等优势使用最为广泛。如今,分离打拿极电子倍增器的打拿极已经发展出平片式、圆笼式、盒栅式、百叶窗式等多种结构。

2、电子倍增器的工作原理主要是由入射带电粒子通过高压加速轰击打拿极表面的二次电子发射体,使二次电子从表面逸出。在二次电子的出射过程中,大部分二次电子出射时的能量位于10 ev附近,大部分的二次电子可以在各级打拿极级间加速电场作用下轰击到下一级打拿极实现电子倍增。最初产生的二次电子通过这样的过程逐级倍增,直到最终被收集极所收本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种具有边缘扩展型的内衬底的打拿极,其特征在于,包括栅网组件(4)、基架盒(6)和边缘扩展型的内衬底,内衬底位于基架盒(6)内部;

2.根据权利要求1所述的一种具有边缘扩展型的内衬底的打拿极,其特征在于,栅网组件(4)包含栅网架和栅网,栅网夹在栅网架之间。

3.根据权利要求2所述的一种具有边缘扩展型的内衬底的打拿极,其特征在于,边缘扩展型的内衬底分为边缘折弯型内衬底和边缘平滑型内衬底,边缘折弯型内衬底的折弯部分(2)的曲面与栅网所在平面的交线为斜线,边缘平滑型内衬底的折弯部分(2)的曲面与栅网所在平面的交线为弧线。

4.根据权利要求1所述的一种具有...

【技术特征摘要】

1.一种具有边缘扩展型的内衬底的打拿极,其特征在于,包括栅网组件(4)、基架盒(6)和边缘扩展型的内衬底,内衬底位于基架盒(6)内部;

2.根据权利要求1所述的一种具有边缘扩展型的内衬底的打拿极,其特征在于,栅网组件(4)包含栅网架和栅网,栅网夹在栅网架之间。

3.根据权利要求2所述的一种具有边缘扩展型的内衬底的打拿极,其特征在于,边缘扩展型的内衬底分为边缘折弯型内衬底和边缘平滑型内衬底,边缘折弯型内衬底的折弯部分(2)的曲面与栅网所在平面的交线为斜线,边缘平滑型内衬底的折弯部分(2)的曲面与栅网所在平面的交线为弧线。

4.根据权利要求1所述的一种具有边缘扩展型的内衬底的打拿极,其特征在于,内衬底的面积的表达式为:

5.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员:吴胜利彭友炜王焕磊李洁贠新团胡文波
申请(专利权)人:西安交通大学
类型:发明
国别省市:

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