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本发明涉及半导体设计技术领域，公开了一种极化三维耦合作用的横向功率电子器件及其制备方法，其中器件包括衬底、缓冲层、异质结以及阳极和阴极；所述异质结界面处形成有二维电子气；所述的异质结包含第一半导体层和第二半导体层，所述第二半导体层设置于所述...
该专利属于广东工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过广东工业大学授权不得商用。

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