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本申请提供了一种薄膜型深紫外LED芯片及其制备方法，涉及半导体光电子器件领域。该薄膜型深紫外LED芯片包括：由下至上依次层叠的支撑衬底、键合金属层、p型电极、p‑AlGaN层、有源区、n‑AlGaN层和n型电极；其中，n‑AlGaN层开设有...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。

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