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本发明提供一种半导体结构的制备方法。制备方法包括如下步骤：提供基底，基底包括衬底、垫氧化层和至少一个沟槽组，沟槽组包括第一沟槽和第二沟槽，垫氧化层形成于衬底的表面，第一沟槽和第二沟槽设置于衬底内且上部贯穿垫氧化层；在第一沟槽的侧壁上和第二沟...
该专利属于合肥晶合集成电路股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过合肥晶合集成电路股份有限公司授权不得商用。

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