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本发明公开了一种改善半导体外延生长的工艺和半导体器件，所述工艺包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底内具有沟槽；在所述沟槽内填充包含第一元素和第二元素的主体层；在所述主体层表面沉积包含第一元素和第二元素的缓冲层；在所述缓冲层表面沉积包含第二元...
该专利属于江苏天芯微半导体设备有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏天芯微半导体设备有限公司授权不得商用。

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