温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本申请涉及半导体技术领域，公开了一种半导体结构、制作方法及电子器件，该半导体结构包括：衬底、功能层，第一电极、第二电极和第一热电体，第一电极和第二电极设置在功能层背离衬底的一侧，第一热电体设置在衬底中，第一热电体包括沿第一方向排列的第一P型...
该专利属于深圳平湖实验室所有，仅供学习研究参考，未经过深圳平湖实验室授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。