一种半导体结构、制作方法及电子器件技术

本申请涉及半导体技术领域，公开了一种半导体结构、制作方法及电子器件，该半导体结构包括：衬底、功能层，第一电极、第二电极和第一热电体，第一电极和第二电极设置在功能层背离衬底的一侧，第一热电体设置在衬底中，第一热电体包括沿第一方向排列的第一P型体和第一N型体，第一P型体和第一N型体的延伸方向与衬底表面相交；第一P型体和第一N型体均包括：第一连接部、第二连接部和中间连接部，第一连接部沿第一方向的长度与中间连接部沿第一方向的长度不相等，第二连接部沿第一方向的长度和第一连接部沿第一方向的长度相等，第一热电体的热通量密度变大，温度梯度变大，第一热电体的散热或加热效果更好，提升了对半导体结构的热管理效率。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体，提供了一种半导体结构、制作方法及电子器件。

技术介绍

1、为支撑新能源的高效利用与可持续发展，高效功率管理成为电力电子技术中的重要技术。宽禁带与超宽禁带功率器件凭借其更高的工作电压、更快的开关速度、更高的功率密度及效率，成为提升新能源发电、传输、转换及应用环节普遍运用的器件。

2、然而，高功率工况下小尺寸芯片的热量积聚问题成为制约其运用和发展的关键瓶颈，那么，如何提高半导体器件的热管理效率，成为本领域亟待解决的技术问题。

技术实现思路

1、本申请实施例提供一种半导体结构、制作方法及电子器件，用以提高半导体结构的热管理效率。

2、本申请提供的具体技术方案如下：

3、第一方面，本申请实施例提供了一种半导体结构，包括：衬底和设于衬底之上的功能层，功能层包括晶体管；

4、半导体结构还包括热电结构，热电结构包括第一电极、第二电极和第一热电体，第一电极和第二电极分别设置在功能层背离衬底的一侧，第一热电体设置在衬底中；

5、第一热电体包括沿第一方本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述热电结构还包括第二热电体，所述第二热电体设置在所述衬底中；

3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第一热电体和所述第二热电体沿所述第一方向排列，所述第一热电体位于所述衬底的中心区域，所述第二热电体位于所述衬底的边缘区域；或者

4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一连接部沿所述第一方向的长度与所述中间连接部沿所述第一方向的长度之间的比例在2:1到4:1之间。

5.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述热电体还包括：第一...

【技术特征摘要】

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述热电结构还包括第二热电体，所述第二热电体设置在所述衬底中；

3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第一热电体和所述第二热电体沿所述第一方向排列，所述第一热电体位于所述衬底的中心区域，所述第二热电体位于所述衬底的边缘区域；或者

4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一连接部沿所述第一方向的长度与所述中间连接部沿所述第一方向的长度之间的比例在2:1到4:1之间。

5.如权利要求3所述的半导体...

【专利技术属性】
技术研发人员：戴颖，戴心玥，范梦绮，王晓萍，
申请(专利权)人：深圳平湖实验室，
类型：发明
国别省市：