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本发明涉及光电器件领域，公开了一种光电器件中金属层薄膜以及光电器件的制备方法。所述光电器件中金属层薄膜的制备方法包括以下步骤：提供基底，所述基底包括收集层以及设置在所述收集层表面的势垒层；采用聚焦等离子技术在所述势垒层表面制备金属层薄膜。本...
该专利属于深圳大学所有，仅供学习研究参考，未经过深圳大学授权不得商用。

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