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本文公开一种包括开关晶体管(ST)和驱动晶体管(DT)的装置。该装置包括设置在缓冲层上方的底部GI层和设置在基板上方的ST和DT。DT包括设置在缓冲层上方的DT底部栅极电极、设置在底部GI层上方的DT沟道结构、设置在DT沟道结构上方的DT顶...
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