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本发明涉及半导体刻蚀材料技术领域，提供一种制备高电阻率碳化硅材料的方法及碳化硅材料。方法包括如下步骤：将基底放置于化学气相沉积设备中，对所述化学气相沉积设备抽真空，随后通入惰性气体；硅碳源气体和载气经第一进气通道注入化学气相沉积设备，硼源气...
该专利属于湖南德智新材料股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过湖南德智新材料股份有限公司授权不得商用。

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