【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体刻蚀材料，具体涉及一种制备高电阻率碳化硅材料的方法及碳化硅材料。
技术介绍
1、在半导体集成电路制造中，刻蚀是关键工序之一，其核心是通过物理化学方法将光刻转移的图案刻制于晶圆上，而刻蚀设备中的零部件性能直接影响刻蚀精度与效率。其中，刻蚀环作为辅助晶圆刻蚀的关键部件，主要作用是保证晶圆边缘与内部刻蚀质量的一致性，其材料需具备耐刻蚀性、热稳定性及高纯度，以避免污染晶圆并确保刻蚀均匀性。现有刻蚀环多采用si（硅）材料，虽能满足与晶圆相近的电导率要求，但在含氟刻蚀气体环境中耐刻蚀能力差，易被快速侵蚀，导致使用寿命短，严重影响生产效率。相比之下，sic（碳化硅）块体材料因与晶圆电导率接近且耐刻蚀性能优异，成为制备刻蚀环的最优选择。
2、然而，sic块体材料的电阻率是影响刻蚀速率的关键因素，高电阻率可减缓等离子体能量到达材料表面，显著提升耐刻蚀性。目前，中低电阻率的sic块体材料易制备，但高电阻率的sic块体材料制备仍面临挑战。现有技术多通过提高反应环境洁净度及反应气体纯度来提升电阻率，然而高纯反应气体制备难度大、成...
【技术保护点】
1.一种制备高电阻率碳化硅材料的方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一进气通道的进气口与基底的垂直距离为35 cm-45 cm；
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述硼源气体和硅碳源气体的流量比为（0.5-4）:1；
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤2中，碳化硅的沉积条件各自独立地包括：沉积温度为1100℃-1400℃，沉积压力为5 kpa-20 kpa，沉积时间为20-40 h；
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，硅碳源气体和载气的摩尔比为1
【技术特征摘要】
1.一种制备高电阻率碳化硅材料的方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一进气通道的进气口与基底的垂直距离为35 cm-45 cm；
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述硼源气体和硅碳源气体的流量比为（0.5-4）:1；
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤2中，碳化硅的沉积条件各自独立地包括：沉积温度为1100℃-1400℃，沉积压力为5 kpa-20 kpa，沉积时间为20-40 h；
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，硅碳源气体和载气的摩尔比为1:（1-20）；
6.根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘赋灵，余盛杰，廖家豪，
申请(专利权)人：湖南德智新材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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