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本发明公开了一种改善金属卤化物钙钛矿稳定性的方法及其产品和应用，属于半导体光电器件技术领域，方法包括，在金属卤化物钙钛矿ABX3的A位掺杂全氟烷基取代的二胺阳离子，全氟烷基取代的二胺阳离子的化学通式为(NH3+)2(CF2)n，掺杂的全氟烷...
该专利属于东方电气长三角（杭州）创新研究院有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过东方电气长三角（杭州）创新研究院有限公司授权不得商用。

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