【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体光电器件，具体涉及一种改善金属卤化物钙钛矿稳定性的方法及其产品和应用。
技术介绍
1、近年来，金属卤化物钙钛矿太阳电池凭借优异的光电性能、简便的制备工艺以及材料本身的低成本，成为新兴光伏技术的重要代表。其中，叠层电池因其对太阳光谱利用率更高而被广泛关注，其可用于突破单结电池的理论极限效率。在这类器件中，宽带隙钙钛矿材料常作为顶电池的吸收层，其带隙调控主要通过改变卤素组成或引入不同a位阳离子实现。
2、然而，正是这种带隙工程带来了材料稳定性的严峻挑战。相较于传统窄带隙钙钛矿材料，宽带隙钙钛矿材料(如br富集或fa/cs混合体系)更易发生光诱导相分离、离子迁移以及晶体结构畸变等问题，严重影响器件在长时间光照、热应力和电场作用下的稳定性。加之其热力学驱动力较弱、相稳定区间窄，使得这类材料在实际应用中更易退化、性能衰减显著。
3、因此，解决宽带隙钙钛矿材料在结构、成分及界面上的不稳定性，是推进高效钙钛矿叠层电池走向规模化应用的关键所在，也是当前研究的热点方向之一。目前，已有多项研究致力于提升金属卤化物...
【技术保护点】
1.一种改善金属卤化物钙钛矿稳定性的方法，其特征在于，包括，在金属卤化物钙钛矿ABX3的A位掺杂全氟烷基取代的二胺阳离子，全氟烷基取代的二胺阳离子的化学通式为(NH3+)2(CF2)n，其中n选自1-4的整数，掺杂的全氟烷基取代的二胺阳离子与B位阳离子的摩尔比例为0.001-0.01:1。
2.根据权利要求1所述的改善金属卤化物钙钛矿稳定性的方法，其特征在于，金属卤化物钙钛矿ABX3中，A位阳离子为CH3NH3+、CH(NH2)2+、铯离子、铷离子中的至少一种，B位阳离子为铅离子、锡离子中的至少一种，X位阴离子为碘离子、溴离子、氯离子中的至少一种。
...【技术特征摘要】
1.一种改善金属卤化物钙钛矿稳定性的方法，其特征在于，包括，在金属卤化物钙钛矿abx3的a位掺杂全氟烷基取代的二胺阳离子，全氟烷基取代的二胺阳离子的化学通式为(nh3+)2(cf2)n，其中n选自1-4的整数，掺杂的全氟烷基取代的二胺阳离子与b位阳离子的摩尔比例为0.001-0.01:1。
2.根据权利要求1所述的改善金属卤化物钙钛矿稳定性的方法，其特征在于，金属卤化物钙钛矿abx3中，a位阳离子为ch3nh3+、ch(nh2)2+、铯离子、铷离子中的至少一种，b位阳离子为铅离子、锡离子中的至少一种，x位阴离子为碘离子、溴离子、氯离子中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的改善金属卤化物钙钛矿稳定性的方法，其特征在于，在金属卤化物钙钛矿abx3的a位掺杂全氟烷基取代的二胺阳离子的方法包括：以全氟烷基取代的二胺阳离子盐、钙钛矿前驱物料ax、钙钛矿前驱物料bx2和溶剂为原料制备钙钛矿前驱体溶液，利用钙钛矿前驱体溶液制膜，退火后实现全氟烷基取代的二胺阳离子在a位的掺杂。
4.根据权利要求3所述的改善金属卤化物钙钛矿稳定性的方法，其特征在于，全氟烷基取代的二胺阳离子盐、钙...
【专利技术属性】
技术研发人员：薛晶晶，王睿，田源，董娜，张中伟，徐敬超，杨德仁，
申请(专利权)人：东方电气长三角杭州创新研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：
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