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本申请涉及Micro‑LED制造技术领域，具体涉及一种Micro‑LED器件的制造方法及LED芯片。本申请提供的Micro‑LED外延结构的制造方法，包括以下步骤：提供工艺中间体，工艺中间体至少包括底部的衬底层和顶部的低温GaN层；在低温G...
该专利属于厦门大学所有，仅供学习研究参考，未经过厦门大学授权不得商用。

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