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本发明公开了一种半导体器件的制造方法，包括：步骤一、完全半导体器件的源漏区的形成工艺，源漏区自对准形成于伪栅极结构两侧的半导体衬底中。步骤二、完成伪栅极结构去除之前的工艺，包括：在伪栅极结构之间的间隔区域中填充层间膜，伪栅极结构的顶部表面和...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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