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本发明涉及压力传感器领域，尤其涉及一种介入式压力传感器及制作方法，包括单晶硅衬底、悬膜、释放孔、腔室、压阻、重掺、绝缘层、电磁屏蔽区和焊盘，介入式压力传感器整体长度不大于1000μm，宽度不大于400μm，厚度不大于150μm，介入式压力传...
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