一种介入式压力传感器及制作方法技术

本发明专利技术涉及压力传感器领域，尤其涉及一种介入式压力传感器及制作方法，包括单晶硅衬底、悬膜、释放孔、腔室、压阻、重掺、绝缘层、电磁屏蔽区和焊盘，介入式压力传感器整体长度不大于1000μm，宽度不大于400μm，厚度不大于150μm，介入式压力传感器应用压力范围为‑30~1300mmHg，单晶硅衬底为任意晶向，且电阻率不小于1Ω·cm，腔室位于单晶硅衬底上表面，腔室为垂直槽或倒棱台型。本发明专利技术优点在于采用牺牲层释放工艺，避免采用昂贵的预制腔体SOI工艺，降低成本，提高了生产良率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及压力传感器领域，尤其涉及一种介入式压力传感器及制作方法。

技术介绍

1、现代临床医疗中，脑水肿、颅脑损伤、帕金森症的治疗过程中都需要掌握病人颅内压力的状况。颅内压是指颅腔内容物对颅腔壁上所产生的压力，是神经外科临床和科研的重要观察指标。目前，采用介入式压力传感器头安置于颅腔内，传感器的另一端与颅内压监护仪连接，将颅内压的动态变化转为电信号，并用记录器连续绘制出压力曲线，以随时了解患者颅内压的一种技术。

2、当前的介入式压力传感器采用预制腔体soi，成本高，良率低，技术难度大，根本原因在于预制腔体soi采用的薄顶硅在研磨抛光过程中受应力影响，容易破膜。因此制作出一种良率高、成本低的介入式压力传感器是目前急于解决的问题。

技术实现思路

1、本专利技术所要解决的一个技术问题是：解决介入式压力传感器成本高，良率低，技术难度大的问题。

2、通过上述技术方案，本专利技术提出一种介入式压力传感器及制作方法，采用牺牲层释放工艺，避免采用昂贵的预制腔体soi工艺，极大的降低成本，同时牺牲层本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种介入式压力传感器，其特征在于：包括：单晶硅衬底、悬膜、释放孔、腔室、压阻、重掺、绝缘层、电磁屏蔽区和焊盘，所述介入式压力传感器整体长度不大于1000μm，宽度不大于400μm，厚度不大于150μm，所述介入式压力传感器应用压力范围为-30~1300mmHg，所述单晶硅衬底为任意晶向，且电阻率不小于1Ω·cm，所述腔室位于单晶硅衬底上表面，腔室为垂直槽或倒棱台型，若腔室为倒棱台型，单晶硅衬底晶向为（100），腔室的高度为4~20μm，所述腔室上方为悬膜，悬膜为多晶硅或单晶硅，长度不大于400μm，宽度不大于250μm，厚度不大于6μm。

2.根据权利要求1所述的一种介入...

【技术特征摘要】

1.一种介入式压力传感器，其特征在于：包括：单晶硅衬底、悬膜、释放孔、腔室、压阻、重掺、绝缘层、电磁屏蔽区和焊盘，所述介入式压力传感器整体长度不大于1000μm，宽度不大于400μm，厚度不大于150μm，所述介入式压力传感器应用压力范围为-30~1300mmhg，所述单晶硅衬底为任意晶向，且电阻率不小于1ω·cm，所述腔室位于单晶硅衬底上表面，腔室为垂直槽或倒棱台型，若腔室为倒棱台型，单晶硅衬底晶向为（100），腔室的高度为4~20μm，所述腔室上方为悬膜，悬膜为多晶硅或单晶硅，长度不大于400μm，宽度不大于250μm，厚度不大于6μm。

2.根据权利要求1所述的一种介入式压力传感器，其特征在于：所述腔室对牺牲层采用工艺释放形成，所述牺牲层采用二氧化硅、或硼磷硅玻璃、或磷硅玻璃，所述释放孔位于悬膜宽边，且为矩形小孔阵列，边长不大于5μm。

3.根据权利要求1所述的一种介入式压力传感器，其特征在于：所述压阻包括第一压阻和第二压阻，所述压阻嵌于悬膜上表面，所述压阻构成惠斯通电桥半桥，且所述压阻位于悬膜上，并呈现边缘中心排布型或者两边排布型，所述边缘中心排布型为第一压阻位于悬膜长边，距离长边0~5μm，所述第二压阻位于悬膜长边和宽边中心线上，所述两边排布型为第一压阻位于悬膜长边，距离长边0~5μm，所述第二压阻位于长边中心线，距离短边0~5μm，所述压阻长度为10~30μm，宽度为2~15μm。

4.根据权利要求3所述的一种介入式压力传感器，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：桂曙光，
申请(专利权)人：杭州宏迈微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：