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本技术专利公开了一种宽带双平衡混频器,包括二极管D1、二极管D2、二极管D3和二极管D4依次首尾连接构成的环形二极管堆以及与环形二极管堆连接的射频电路、本振电路以及中频电路,采用国内晶圆厂GaAs工艺,使用肖特基二极管构成的环型桥电路和耦合...该专利属于成都红芯源电子科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过成都红芯源电子科技有限公司授权不得商用。
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本技术专利公开了一种宽带双平衡混频器,包括二极管D1、二极管D2、二极管D3和二极管D4依次首尾连接构成的环形二极管堆以及与环形二极管堆连接的射频电路、本振电路以及中频电路,采用国内晶圆厂GaAs工艺,使用肖特基二极管构成的环型桥电路和耦合...