一种宽带双平衡混频器制造技术

本技术专利公开了一种宽带双平衡混频器，包括二极管D1、二极管D2、二极管D3和二极管D4依次首尾连接构成的环形二极管堆以及与环形二极管堆连接的射频电路、本振电路以及中频电路，采用国内晶圆厂GaAs工艺，使用肖特基二极管构成的环型桥电路和耦合线Marchand巴伦的结构，通过改进混频器电路的拓扑结构，提高工作带宽的同时也减小了芯片尺寸。

【技术实现步骤摘要】

本技术专利涉及单片微波集成电路领域，特别涉及一种宽带双平衡混频器。

技术介绍

1、混频器在理论上几乎是所有的射频微波接收机的关键部件。混频器的性能好坏和可靠性的高低对系统的整体性能起到了决定性作用，因此多年来，性能优异的混频器一直是科研人员的研究重点。

2、混频器在现今的射频微波毫米波系统中都是不可缺少的器件，在雷达、通信、卫星、遥感、测量、电子对抗等各种领域中都有着重要的意义和广泛的应用。混频器正朝着高性能、低成本、高集成度、宽频带为发展方向，从而为进一步的系统集成及小型化提供基础。

3、由于半导体工艺的限制，混频器的研究大多处于理论分析以及实验验证，并没有太多的突破，现有的混频器通常性能差、成本高、集成度低、频带窄，表面势垒二极管和隧道二极管的先后问世，对混频器的研究走上了一个全新的台阶。

技术实现思路

1、针对现有技术中的上述不足，本技术提供的一种宽带双平衡混频器解决了现有的混频器通常性能差、成本高、集成度低、频带窄的问题。

2、为了达到上述技术目的，本技术采用的技术本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种宽带双平衡混频器，其特征在于，包括：二极管D1、二极管D2、二极管D3和二极管D4依次首尾连接构成的环形二极管堆以及与所述环形二极管堆连接的射频电路、本振电路以及中频电路；

2.根据权利要求1所述的宽带双平衡混频器，其特征在于，所述二极管D1、二极管D2、二极管D3和二极管D4均为电特性参数相同的肖基特二极管。

3.根据权利要求1-2任一权利要求所述的宽带双平衡混频器，其特征在于，所述宽带双平衡混频器的巴伦结构，采用Marchand巴伦结构。

【技术特征摘要】

1.一种宽带双平衡混频器，其特征在于，包括：二极管d1、二极管d2、二极管d3和二极管d4依次首尾连接构成的环形二极管堆以及与所述环形二极管堆连接的射频电路、本振电路以及中频电路；

2.根据权利要求1所述的宽带双平衡混频器，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵平，王志林，钟亮，
申请(专利权)人：成都红芯源电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：