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本申请涉及半导体制造的领域，尤其是涉及一种小孔径下高铟柱的制备方法，具体包括以下步骤，在待成型铟柱阵列的器件表面匀胶，胶厚为10‑12μm；进行100℃且持续2min的前烘；进行3.8‑4.2s的曝光以将光刻胶角度控制在133‑137°；显...
该专利属于浙江焜腾红外技术股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江焜腾红外技术股份有限公司授权不得商用。

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