一种小孔径下高铟柱的制备方法技术

技术编号：46541128 阅读：5 留言：0更新日期：2025-09-30 19:08

本申请涉及半导体制造的领域，尤其是涉及一种小孔径下高铟柱的制备方法，具体包括以下步骤，在待成型铟柱阵列的器件表面匀胶，胶厚为10‑12μm；进行100℃且持续2min的前烘；进行3.8‑4.2s的曝光以将光刻胶角度控制在133‑137°；显影和定影以成型孔径小于7μm的开孔；进行110℃且持续1min的坚膜烘烤；进行铟柱的蒸发沉积；剥离光刻胶，以在小孔径下成型较高高度的铟柱，提升铟柱质量。

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【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体制造的领域，尤其是涉及一种小孔径下高铟柱的制备方法。

技术介绍

1、铟柱用于连接器件，如大面阵红外芯片，和对应的信号处理电路，相关内容可大致参考公开号为cn103413814a的红外焦平面器件高密度微细铟柱端面整平的制备方法中的
技术介绍
，核心点为在光刻胶小孔径开孔下的高铟柱的成型。

2、为了获得高质量样貌的铟柱，需要光刻胶开孔呈底切结构，即开孔底部宽且顶部窄，以使得开孔底部侧面不易和宽度较大的铟柱底部相粘连，使得光刻胶剥离后铟柱形貌不易受影响，为此需要使用到双层胶工艺，具体可参照公开号为cn112645276b的铟柱及其制备方法。

3、而双层胶工艺相对较为复杂，但 4620这种型号的光刻胶在单层时粘度较低，厚度较薄，只能选用双层胶工艺，为此，需要选用型号为8000的负胶进行单层涂胶，并且在显影时还能自带底切结构，更好适用于高质量样貌的铟柱制备，可参考公开号为cn106024982a的一种红外焦平面芯片的铟柱制备方法。

4、而在上述选用8000这一型号的光刻胶进行铟柱制备过程中，光刻胶厚...

【技术保护点】

1.一种小孔径下高铟柱的制备方法，其特征在于：具体包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种小孔径下高铟柱的制备方法，其特征在于：所述S6中向真空蒸发腔体内注入表面活性剂和氩气的混合气体。

3.根据权利要求2所述的一种小孔径下高铟柱的制备方法，其特征在于：所述表面活性剂包括全氟辛烷磺酸。

4.根据权利要求3所述的一种小孔径下高铟柱的制备方法，其特征在于：所述表面活性剂在氩气中体积占比为0.1-0.5%。

5.根据权利要求2所述的一种小孔径下高铟柱的制备方法，其特征在于：所述S6中蒸发源激活时进行混合气体的注入。