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本发明提出一种氮化镓基化合物半导体激光器元件，包括从下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层和上限制层，所述衬底与下限制层之间设置有自选螺旋电感层，所述自选螺旋电感层具有形变势分布特性、导带有效态密度分布特性和分离能分布特...
该专利属于安徽格恩半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过安徽格恩半导体有限公司授权不得商用。

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