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本申请公开的属于半导体技术领域，具体为一种集成式高压半导体器件结构，包括器件元胞单元，所述器件元胞单元包括漏极金属、设置在漏极金属上的衬底、设置在衬底上的外延层、设置在外延层上的P‑body基区、设置在P‑body基区上的第一P+区和N+区...
该专利属于深圳市芯控源电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市芯控源电子科技有限公司授权不得商用。

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