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本发明提出一种具有拓扑声子态层的半导体激光元件，包括从下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层和上限制层。本发明在半导体激光元件的下波导层与下限制层之间设置有多层结构的拓扑声子态层，并对每一层拓扑声子态层的饱和电子漂移速率...
该专利属于安徽格恩半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过安徽格恩半导体有限公司授权不得商用。

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