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本发明提供了一种TMBS芯片的有源区元胞、TMBS芯片及电路结构，涉及TMBS芯片技术领域。使用了沟槽型肖特基与MOS二极管并联结构，其中沟槽型肖特基的正向开启电压约0.4V左右，MOS二极管的开启电压约0.2V左右。当该二极管芯片正向偏置...
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