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本发明涉及一种用于半导体中介层制程的中介层电子模组及其制造方法，所述的中介层电子模组包括有一硅基材、一胶脂层及至少一针脚，所述的硅基材采用硅材质作为基底，并具有一定厚度及包括有至少两个表面，所述胶脂层均匀分布并结合在硅基材表面，并具有一胶层...
该专利属于北京比格博思信息技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京比格博思信息技术有限公司授权不得商用。

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