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本发明的非晶硅薄膜的制备方法包括：在硅衬底上生长二氧化硅薄膜；在所述二氧化硅薄膜的表面形成纳米孔阵列层；在所述纳米孔阵列层上生长非晶硅薄膜；以及对所述非晶硅薄膜进行退火处理。该方法制造难度低、工艺简单、成本低，提高生长速度和生长均匀性，使得...
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