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本发明公开了一种组合多量子阱有源区、发光器件及其制备方法，涉及半导体发光器件领域。所述组合多量子阱有源区由以势垒层、量子阱层和势垒层为重复单元重复M个周期构成，相邻两个周期共用同一个势垒层，其中量子阱层包括N个阱子层和N‑1个隔层，隔层设置...
该专利属于日照市艾锐光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过日照市艾锐光电科技有限公司授权不得商用。

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