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本发明公开了一种大功率倒装LED芯片及其制备方法，涉及半导体技术领域，包括衬底、外延层、第一钝化层、反射金属层、第二钝化层和焊盘金属层，外延层包括N‑GaN层、MQW量子阱层和P‑GaN层，焊盘金属层包括P电极焊盘和N电极焊盘；外延层的中部...
该专利属于佛山市国星半导体技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过佛山市国星半导体技术有限公司授权不得商用。

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