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本发明提供一种超结外延填充方法,包括以下步骤:提供一衬底,所述在衬底形成第一导电类型的第一外延层,在所述第一外延层形成深槽,所述深槽的开口尺寸为W;在所述深槽中填充第二导电类型的第二外延层;第二外延层的填充步骤包括:S1:沉积气体初始流量D...该专利属于江苏天芯微半导体设备有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过江苏天芯微半导体设备有限公司授权不得商用。
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本发明提供一种超结外延填充方法,包括以下步骤:提供一衬底,所述在衬底形成第一导电类型的第一外延层,在所述第一外延层形成深槽,所述深槽的开口尺寸为W;在所述深槽中填充第二导电类型的第二外延层;第二外延层的填充步骤包括:S1:沉积气体初始流量D...