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碳化硅晶体管可以形成有沟道，所述沟道包括位于n掺杂源极区域和漏极区域之间的p掺杂区域。可以在栅极氧化物正下方的沟道的顶部处形成反掺杂区域。替代使用用于p掺杂区域的常规掺杂水平，掺杂浓度可以增加至大于约1e18cm3。晶体管也可以包括在沟道的...
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